特許
J-GLOBAL ID：200903003295919110

半導体レーザおよび半導体レーザユニット

発明者：
中田 直太郎

中田 直太郎 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-037662
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229004
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 半導体レーザの表面からの熱放射率を向上させることにより、プラスティック製のホルダーや光ピックアップに搭載されても、その温度上昇を抑制することができる半導体レーザおよびそれを用いた半導体レーザユニットを提供する。【解決手段】 レーザチップ2が、ステム1に設けられるヒートシンク12もしくはリードに接続されるダイパッドにマウントされ、そのレーザチップ2の各電極と接続される少なくとも一対のリード13、14およびレーザチップ2を包囲するキャップ5もしくはレーザチップ2の周囲に設けられると共にリードを固定する樹脂部とが設けられ、ステム1、ヒートシンク12、ダイパッド、リード11〜13、キャップ5の金属からなる部分の少なくとも一部の露出面に、その金属の放射率より放射率の高い放射被膜9が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一対の電極を有するレーザチップと、該レーザチップの一対の電極と電気的に接続される複数のリードと、前記レーザチップおよび複数のリードを一定の関係に保持すると共に前記レーザチップを保護するパッケージとを有し、前記リードおよびパッケージの金属部分の少なくとも一部に該金属部分の放射率より大きい放射率を有する放射被膜が設けられてなる半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S5/022 ,  H01S5/024
FI (2件)：
H01S5/022 ,  H01S5/024
Fターム (5件)：
5F073BA03 ,  5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073FA15 ,  5F073FA30
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-286089   出願人：ローム株式会社
  • モールド型半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-148673   出願人：ローム株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM