半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286089
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111152
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】チップサイズが大きく発熱量の大きいレーザチップの場合でも、ヒートシンク部を大きくして放熱特性を向上させながら、外径の小さい半導体レーザおよびそれを用いた薄型の光ピックアップを提供する。【解決手段】少なくとも2本のリード14、16が両側に突出するように固定されるステム1の一方の底部(ベース11)側に支持部12が設けられている。そして、その支持部12の上部で前述の突出する2本のリード14、16側に延びるように幅広にヒートシンク部13が形成されている。このヒートシンク部13にレーザチップ2がマウントされている。

請求項（抜粋）：

少なくとも2本のリードが両側に突出するように固定されるステムと、該ステムの一方の底部側に設けられる支持部と、該支持部の上部で前記突出する2本のリード側に延びるように幅広に形成されるヒートシンク部と、該ヒートシンク部に固着されるレーザチップとからなる半導体レーザ。

Fターム (7件)：

5F073AB25 , 5F073AB27 , 5F073BA04 , 5F073FA16 , 5F073FA27 , 5F073FA28 , 5F073FA29

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-234457
特開平2-234457
半導体レーザー装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264951 出願人：富士電機株式会社

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