検査方法及び半導体基板製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：前田均 , 西出眞吾 , 大倉宏一郎 , 佐藤美樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-089826
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269991
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】イオン注入において意図せずに打ち込まれた不純物の量(濃度)を容易な処理により短時間で適切に検査することのできる検査方法を提供する。【解決手段】本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しICP-MSにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量(注入量)を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。実際のアンチモンのイオン注入の際には、酸化膜を介して所望のドーズ量(イオン注入条件)でアンチモンのイオン注入を行い、この酸化膜を回収しICP-MSにより分析して、アンチモンのイオン注入の際に同時に打ち込まれた砒素の量(濃度)を検出する。次に、先に求めたドーズ量と注入量との関係に基づいて、分析値(注入量)をドーズ量に換算し、イオン注入条件としてのドーズ量という指標において、本来のイオン注入元素であるアンチモンのドーズ量と、意図せずに注入された砒素のドーズ量の比率を検出し、これが許容範囲か否か検出する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に第1の元素をイオン注入する際に当該基板に注入される前記第1の元素とは異なる第2の元素の量を検査する検査方法であって、基板に形成された酸化膜に前記第2の元素を所定のドーズ量条件でイオン注入し、当該イオン注入した前記酸化膜を誘導結合プラズマ質量分析して当該酸化膜中に実際に注入された前記第2の元素の注入量を検出し、当該第2の元素の前記注入条件としての前記ドーズ量と前記分析結果の前記注入量との関係を検出し、基板に酸化膜を形成して当該基板に対して前記第1の元素を所定のドーズ量条件でイオン注入し、前記基板の前記酸化膜を誘導結合プラズマ質量分析し、前記第1の元素のイオン注入の際に前記酸化膜中に実際に注入された前記第2の元素の注入量を検出し、前記検出された前記第2の元素の注入量を、前記予め検出された当該第2の元素の前記注入条件としての前記ドーズ量と前記分析結果の前記注入量との関係に基づいて、前記注入条件としてのドーズ量に換算し、前記換算して得られた前記第2の元素の前記注入条件としてのドーズ量と、前記第1の元素のイオン注入の際の当該第1の元素の前記注入条件としてのドーズ量とを比較することにより前記第1の元素のイオン注入の際に注入された前記第2の元素の注入量を検査することを特徴とする検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L21/265 T , H01L21/66 N , H01L21/265 Y

Fターム (5件)：

4M106AA10 , 4M106CB01 , 4M106DJ11 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開09-260448号公報

審査官引用 (4件)

不純物量の測定方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-184310 出願人：株式会社東芝
イオン注入工程管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-324992 出願人：山形日本電気株式会社
固体中元素の濃度分布の測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-320015 出願人：沖電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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