特許
J-GLOBAL ID：200903021580271327

不純物量の測定方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
須黒 恭一

須黒 恭一 について

, 
奥村 勝弥

奥村 勝弥 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184310
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021803
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】イオン注入量を正確に測定すること。【解決手段】シリコン基板1と、このシリコン基板1上に形成され、シリコン基板1に対して湿式エッチングにより選択的に除去でき、かつイオン3が注入された薄膜2とからなる試料を用いた不純物量の測定方法であって、薄膜2を湿式エッチングにより選択的に除去し、次にこの湿式エッチングに供したエッチング溶液を回収し、次にこの回収したエッチング溶液中に含まれる不純物量を湿式分析により測定することによって、薄膜2に注入されたイオン3の量を測定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成され、該半導体基板に対して湿式エッチングにより選択的に除去でき、かつ不純物がイオン注入された注入層とからなる試料を用いた不純物量の測定方法であって、前記注入層を湿式エッチングにより選択的に除去する工程と、前記湿式エッチングに供したエッチング溶液を回収する工程と、この回収したエッチング溶液中に含まれる不純物量を湿式分析により測定する工程とを有することを特徴とする不純物量の測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  G01N 21/31 ,  G01N 27/62 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
H01L 21/265 T ,  G01N 21/31 A ,  G01N 27/62 V ,  H01L 21/66 N
Fターム (15件)：
2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC20 ,  2G059DD01 ,  2G059DD03 ,  4M106AA01 ,  4M106AA20 ,  4M106BA12 ,  4M106BA20 ,  4M106CB01 ,  4M106CB02 ,  4M106DH01 ,  4M106DH11 ,  4M106DH55 ,  4M106DJ38
引用特許：
審査官引用 (1件)

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