レジストパターン形成方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021724
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231603
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】多層配線構造を有するデバイスの下層配線を形成する際に用いられるレジストの側面のテーパー形状を制御する方法として、感度の異なるレジストを多層に塗布する、現像工程でのポストベーク温度を変更する方法等が提案されているが、レジスト及びその供給系統が2種類必要となる、ベーク温度を高温にすると、レジストの剥離性が悪化し、低温にするとレジストの被エッチング膜に対する密着性が低下するという問題が存在した。【解決手段】2層のレジスト膜を塗布するに当たって、下層のレジスト膜3の塗布後の乾燥量を上層のレジスト膜4の乾燥よりも多くし、上下層のレジスト膜の乾燥量に差を付け、現像時の上層のレジスト膜14の後退量を多くすることにより、レジストパターンとしてより緩やかな順テーパー角θを呈するものが得られる。

請求項（抜粋）：

被エッチング膜上に第1レジスト膜及び第2レジスト膜を順に形成する工程と、前記第1レジスト膜及び前記第2レジスト膜を露光及び現像して、前記第1レジスト膜及び前記第2レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備えるレジストパターン形成方法であって、前記第1レジスト膜及び第2レジスト膜を順に形成する工程は、前記第1レジスト膜を被エッチング膜上に塗布した後前記第1レジスト膜に第1の乾燥処理を施し、続いて、前記第1レジスト膜上に前記第2レジスト膜を塗布した後前記第2レジスト膜に第2の乾燥処理を施すことにより行われることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/095 , G03F 7/40 521 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

G03F 7/095 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 573 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 617 K

Fターム (29件)：

2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA18 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AD03 , 2H025BJ10 , 2H025DA11 , 2H025DA12 , 2H025DA40 , 2H025EA10 , 2H025FA39 , 2H096AA25 , 2H096AA26 , 2H096BA09 , 2H096CA20 , 2H096KA10 , 5F046NA09 , 5F046NA12 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE23 , 5F110EE50 , 5F110FF03 , 5F110HL04 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-055922
Alテーパドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-095094 出願人：三菱電機株式会社
特開昭61-055922

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