特許
J-GLOBAL ID:200903048996779600

Alテーパドライエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-095094
公開番号(公開出願番号):特開平9-279367
出願日: 1996年04月17日
公開日(公表日): 1997年10月28日
要約:
【要約】【課題】 液晶ディスプレイなどの薄膜デバイスの配線材料として使用されているAlのAlテーパドライエッチング方法を提供すること。【解決手段】 所望の小さいAlテーパ角に対応した小さいレジストテーパ角を有するレジストパターンをAlまたはAl合金膜上に形成する工程および該レジストパターンを有するAlまたはAl合金膜に異方性ドライエッチングを行なう工程からなる、小さいAlテーパ角をうるためのレジスト後退法にもとづくAlテーパドライエッチング方法。
請求項(抜粋):
所望の小さいAlテーパ角に対応した小さいレジストテーパ角を有するレジストパターンをAlまたはAl合金膜上に形成する工程および該レジストパターンを有するAlまたはAl合金膜に異方性ドライエッチングを行なう工程からなる、小さいAlテーパ角をうるためのレジスト後退法にもとづくAlテーパドライエッチング方法。
IPC (5件):
C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/3065
FI (6件):
C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 C ,  C23F 4/00 E ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 G
引用特許:
審査官引用 (15件)
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