半導体装置の製造方法及び加工装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101276
公開番号（公開出願番号）：特開2000-117616
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハの表面の凹凸パターンを砥石を用いて研磨加工し、凹凸パターンを平坦化するときに、高研磨レートで、かつ、研磨量を制御性よく加工できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】表面に凹凸パターンが形成された半導体ウエハをウエハホルダー14で保持し、砥粒とこれら砥粒を保持するための物質から構成される砥石16の表面上に押しつけて相対運動させて研磨し、凹凸パターンを平坦化するときに、ブラシ21や超音波等により砥石16の表面活性化処理を行うようにした半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸パターンが形成された半導体ウエハを、砥粒とこれら砥粒を保持するための物質から構成される砥石表面上に押しつけて相対運動させて研磨し、上記凹凸パターンを平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記砥石中の上記砥粒を遊離させる表面活性化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

B24B 37/00 , B24B 57/02 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (5件)：

B24B 37/00 A , B24B 57/02 , H01L 21/304 621 C , H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 622 D

Fターム (15件)：

3C047FF04 , 3C047FF08 , 3C047GG10 , 3C047GG20 , 3C058AA03 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AA12 , 3C058AA14 , 3C058AA19 , 3C058AC02 , 3C058AC04 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭59-134650
特開昭50-156082
特開昭56-052183

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審査官引用 (9件)

特開昭59-134650
特開昭59-134650
特開昭50-156082

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