特許
J-GLOBAL ID：200903003350897458

プラズマ処理装置及び方法

発明者：
横島 重信

横島 重信 について

, 
高村 裕一

高村 裕一 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288255
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056768
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 プラズマを確実かつ短時間に発生させ、また、プラズマが一旦発生した後にマッチング位置に移行するまで当該プラズマを安定して維持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 被処理物を収納して真空又は減圧環境下で前記被処理物にプラズマ処理を施す真空容器と、マイクロ波を発生するためのマイクロ波発生源と前記真空容器内の間に配置され、インピーダンス調整を行うインピーダンス整合器と、前記インピーダンス整合器の整合状態、整合状態においてプラズマ発生に必要なマイクロ波強度別分布、及び、前記プラズマ処理中に前記マイクロ波の反射波が極小となる前記インピーダンス整合器の整合状態の関係に基づいて、前記インピーダンス整合器の動作を制御する制御部とを有することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理物を収納して真空又は減圧環境下で前記被処理物にプラズマ処理を施す真空容器と、 マイクロ波を発生するためのマイクロ波発生源と前記真空容器内の間に配置され、インピーダンス調整を行うインピーダンス整合器と、 前記インピーダンス整合器の整合状態、整合状態においてプラズマ発生に必要なマイクロ波強度別分布、及び、前記プラズマ処理中に前記マイクロ波の反射波が極小となる前記インピーダンス整合器の整合状態の関係に基づいて、前記インピーダンス整合器の動作を制御する制御部とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31
FI (5件)：
H05H1/46 B ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 A ,  H01L21/31 C ,  H01L21/302 101D
Fターム (25件)：
4K030FA02 ,  4K030JA07 ,  4K030JA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K057DA16 ,  4K057DA19 ,  4K057DD01 ,  4K057DG20 ,  4K057DM29 ,  4K057DM31 ,  4K057DN01 ,  5C030DD02 ,  5C030DE09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BC03 ,  5F004BC05 ,  5F004CA07 ,  5F004CA08 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307208   出願人：日本電気株式会社, アネルバ株式会社, 日本高周波株式会社

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