特許
J-GLOBAL ID：200903003357085114
半導体製造工程におけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164248
公開番号（公開出願番号）：特開平10-104847
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 マスクとして使われるフォトレジスト層のうちエッジ付近の不要なフォトレジスト及びウェーハの裏面の不要なフォトレジストを除去する際に使用する半導体製造工程おけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物を提供する。【解決手段】 本発明のシンナー組成物は、エチルラクテートとエチル-3-エトキシプロピオネートとを混合してなるもので、望ましくはエチルラクテートとエチル-3-エトキシプロピオネートとの混合物にγ-ブチロラクトンをさらに混合して調製したものである。これにより、ウェーハのエッジや裏面フォトレジストを素早くかつ効率よく取り除けるので半導体装置の収率を向上でき、また裏面に付着している残留フォトレジストを完全に取り除いてウェーハを再使用できるようにし、ウェーハの再使用及び経済的な使用を可能にする。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程でウェーハ上の不要なフォトレジストを取り除くためのシンナー組成物であって、エチルラクテートとエチル-3-エトキシプロピオネートとを混合してなることを特徴とするフォトレジスト洗浄用シンナー組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/38 501
, C11D 7/26
, C11D 7/50
, G03F 7/42
, H01L 21/027
G03F 7/38 501
, C11D 7/26
, C11D 7/50
, G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
