特許
J-GLOBAL ID：200903003360743262
不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126114
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335000
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルに対して正常なアクセスを行うことができないアドレス空間を有する不揮発性メモリに関し、チップメーカが行うバッドスポットの検出結果を正確かつ容易にユーザに伝えることができる不揮発性メモリを提供する。【構成】 各々が複数のメモリセルを含む複数の第1のメモリブロック(3)と、複数のメモリセルを含み、第1のメモリブロック中において特定のメモリセルへのアクセスが正常に行うことができないアドレス空間の位置情報を格納する第2のメモリブロック(2)とを有する。
請求項（抜粋）：
各々が複数のメモリセルを含む複数のメモリブロックを有し、特定のメモリセルへのアクセスが正常に行うことができないアドレス空間(以下、バッドスポットと呼ぶ)を含む不揮発性メモリの製造において、不揮発性メモリ内に存在するバッドスポットの位置情報を検出する工程と、検出されたバッドスポットの位置情報を不揮発性メモリ内の所定のメモリブロックに登録する工程とを含む不揮発性メモリへのバッドスポット情報登録方法。
IPC (2件)：
G11C 29/00 303
, G11C 16/06
