特許
J-GLOBAL ID：200903003377433860
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-202771
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045589
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 NAND型不揮発性メモリ装置において、読み出し時の基板効果により、選択トランジスタ側に接続されるメモリセルのしきい値電圧が高くなることを防ぎ、読み出しスピードの高速化を目的とする。【解決手段】 書き込み後のチェック読み出しを行う時に、選択トランジスタ側のメモリセルの制御ゲートに供給する電圧を、スイッチングトランジスタ側のメモリセルに供給する電圧よりも低くするように制御する。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートおよび制御ゲートを有し浮遊ゲートの電荷の量によってデータを記憶する少なくとも2個のメモリセルが第1の端子と第2の端子との間に直列に接続されてなるメモリブロックを具備し、前記メモリセルへのデータの書き込み時に、メモリセルにデータが書き込まれたかどうかを確認するために、前記第1の端子から、前記第2の端子への前記少なくとも2個のメモリセルを介しての電流経路の形成状態によって読み出し動作を行う時に、前記電流経路の前記第2の端子側のメモリセルへのデータの書き込み時に、このメモリセルにデータが書き込まれたかどうかを確認するための読み出し動作を行うためこのメモリセルのゲートに印加される電位V2と、前記前記電流経路の前記第1の端子側のメモリセルへのデータ書き込み時に、このメモリセルにデータが書き込まれたどうか確認するための読み出し動作を行うためこのメモリセルのゲートに印加される電位V1との関係がV1 <V2となることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (3件)：
G11C 16/04
, G11C 16/02
, H01L 27/10 491
G11C 17/00 622 E
, H01L 27/10 491
, G11C 17/00 613
