荷電粒子ビームを用いるIC欠陥検出方法及びその装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：草野卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179074
公開番号（公開出願番号）：特開平8-086841
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【課題】電子ビームテスタにより良品と不良品とについて得たデータの不一致から不一致配線と不一致となった試験パターンアドレスとを自動的に決定する。【解決手段】被試験ICに最初にfailが得られた試験パターンアドレス等で試験パターンを印加し、そのICの不良候補領域を移動させ、かつ不良候補配線を指定し、停止試験パターンアドレスごとに指定配線の電位データを取込み記憶する。このことを停止被試験パターンアドレスを順次遡ぼらせて行う。その後、良品ICについて上記指定領域の上記指定配線の電位データを同様にて取得し、各試験パターンごとに、被試験ICと良品ICとの電位データを比較し、不一致の試験パターンアドレスと配線とを探す。

請求項（抜粋）：

被試験ICに試験パターンを順次印加し、停止試験パターンアドレスでその試験パターンの更新を停止し上記被試験ICの指定された領域に荷電粒子ビームを照射してその二次電子を検出して、電位コントラスト像データを取得する第1ステップと、第2ICに上記試験パターンを順次印加し、上記停止試験パターンアドレスで、その試験パターンの更新を停止して上記第2ICの上記指定された領域に荷電粒子ビームを照射してその二次電子を検出して電位コントラスト像データを取得する第2ステップと、上記指定された領域中の指定された部位の電位データを上記被試験ICの電位コントラスト像データから取得する第3ステップと、上記指定された部位の電位データを上記第2ICの電位コントラスト像データから取得する第4ステップと、上記第3ステップで得られた電位データと上記第4ステップで得られた電位データとを比較する第5ステップと、を有する荷電粒子ビームを用いるIC欠陥検出方法。

IPC (2件)：

G01R 31/302 , H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (4件)

集積回路装置の故障解析装置及び故障解析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-090187 出願人：日本電気株式会社
半導体素子解析装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-076118 出願人：シャープ株式会社
特開平3-021881

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