特許

J-GLOBAL ID：200903003441795895

電子部品の製造方法

発明者： 古川 良太
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141869
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332039
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 表面改質効果が持続した状態で樹脂封止ができ、封止樹脂の密着性を確保することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ポリイミド樹脂の保護膜4で被覆された半導体素子3を基板1に実装し半導体素子3を樹脂封止して成る電子部品の製造方法において、半導体素子3が実装された基板1をプラズマ処理して表面改質を行うプラズマ処理工程と、半導体素子3を樹脂で覆って封止する樹脂封止工程とを含み、プラズマ処理工程終了後、表面改質効果が持続する基準時間である2時間以内に樹脂封止を行う。これにより、表面改質効果の持続中に樹脂封止を行って封止樹脂の密着性を確保することが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体素子を基板に実装しこの半導体素子を樹脂封止して成る電子部品を製造する電子部品の製造方法であって、前記半導体素子が実装された基板をプラズマ処理して表面改質を行うプラズマ処理工程と、前記半導体素子を樹脂で覆って封止する樹脂封止工程とを含み、プラズマ処理工程終了後2時間以内に前記樹脂封止を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 21/56 Z ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 21/302 N

Fターム (16件)：

4M109AA01 ,  4M109BA05 ,  4M109CA21 ,  5F004AA13 ,  5F004BA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB25 ,  5F004EB02 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F061AA01 ,  5F061BA05 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342281   出願人：日東電工株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216228   出願人：ソニー株式会社