特許
J-GLOBAL ID：200903003446692466
半導体温度センサ回路,半導体集積回路および半導体温度センサ回路の調整方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
牛木 護
, 清水 栄松
, 吉田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-058740
公開番号（公開出願番号）：特開2007-240157
出願日： 2006年03月03日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】微細プロセスでの低電源電圧においても動作可能な高精度温度センサ回路を提供する。【解決手段】第2のMOSFET2のドレイン電流IOUT1と、前記第3のMOSFET3のドレイン電流と第4のMOSFET4のドレイン電流の合計値IOUT2が等しくなるときに、前記トランジスタ回路の出力電圧VOUTから温度を検知する。また、第3のMOSFET3のドレイン電流IOUT2のみで生じる動作点をシフトさせる動作点シフト回路25を設ける。この動作点シフト回路25は、第3のMOSFET3と並列接続される第4のMOSFET4と、第4のMOSFET4を飽和領域で動作させるゲート電圧を第4のMOSFET4に供給する電圧供給源14と、からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイオード接続された第1の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタと直列接続されるダイオード接続された第2の電界効果トランジスタと、
前記第2の電界効果トランジスタとゲートどうしを接続してなる第3の電界効果トランジスタとを備え、
前記第1および第2の電界効果トランジスタからなる直列回路と、前記第3の電界効果トランジスタとを並列に接続してトランジスタ回路を構成し、
前記第2の電界効果トランジスタのドレイン電流と、前記第3の電界効果トランジスタのドレイン電流が等しくなるときに、前記トランジスタ回路の出力電圧から温度を検知する半導体温度センサ回路において、
前記第3の電界効果トランジスタと並列接続される第4の電界効果トランジスタと、前記第4の電界効果トランジスタを飽和領域で動作させるゲート電圧を前記第4の電界効果トランジスタに供給する電圧供給源とからなり、前記第3の電界効果トランジスタのドレイン電流で生じる動作点を第4の電界効果トランジスタのドレイン電流によりシフトさせる動作点シフト回路を設けたことを特徴とする半導体温度センサ回路。
IPC (3件)：
G01K 7/01
, H01L 21/822
, H01L 27/04
G01K7/00 391M
, G01K7/00 391C
, H01L27/04 H
2F056JT01
, 2F056JT08
, 5F038AV06
, 5F038AZ08
, 5F038BB02
, 5F038BH16
, 5F038CA02
, 5F038CA07
, 5F038CA08
, 5F038DF03
, 5F038DT12
, 5F038EZ20
