特許
J-GLOBAL ID：200903003467906636

半導体チップ製造方法及び半導体チップ

発明者：
小泉 直幸

小泉 直幸 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256767
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095952
出願日： 2002年09月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】半導体チップの製造時間の短縮化、形成の高集積化及び歩留まりの向上を図った半導体チップ製造方法及び当該方法により製造される半導体チップを提供する。【解決手段】半導体チップ製造装置は、半導体ウェハ100における切断部分に対し、等方性エッチングを行って溝110及び溝130を形成するとともに、異方性エッチングを行って溝130を形成する。これら溝110、120及び130が形成されることにより、半導体ウェハ100が切断され、外縁部分が直角でない切り欠いた形状を有する半導体チップが形成される。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを所定の大きさに切断して半導体チップを製造する半導体チップ製造方法において、 前記半導体ウェハの半導体素子が形成された第1の面における切断部分と、前記第1の面に対向する第2の面における切断部分との少なくとも一方に対し、等方性エッチングを行う工程と、 前記半導体ウェハの残された切断部分に対し、異方性エッチングを行う工程と、 を備えることを特徴とする半導体チップ製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/301 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52
FI (4件)：
H01L21/78 S ,  H01L21/50 C ,  H01L21/52 F ,  H01L21/78 R
Fターム (2件)：
5F047FA01 ,  5F047FA08
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開平4-067650
  • 特開昭53-025350
  • 特開平4-067650
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