特許
J-GLOBAL ID：200903003477264101
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114754
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302694
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 基板表面のプラズマ処理プロセスにおいてイオン性処理反応とラジカル性処理反応の選択を可能とする簡便かつ安価なプラズマ処理装置を提供する。【構成】 誘電体からなる半球状の反応室20の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置したヘリカルアンテナコイル25により生成したプラズマを反応室20内の下方に保持した基板Wに作用させるプラズマ処理装置19において、ヘリカルアンテナコイル25を上部コイル26と下部コイル27に二分割するとともに、切替スイッチ29により下部コイル27のタッピング位置を切り替えることで、下部コイル27のインダクタンスを調節してイオン性処理反応とラジカル性処理反応を選択するようになっている。
請求項（抜粋）：
誘電体からなる半球状の反応室の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置したヘリカルアンテナコイルにより前記反応室内に発生させたプラズマおよびその活性種を、前記反応室内の下方に保持した基板に対して作用させるプラズマ処理装置において、前記ヘリカルアンテナコイルが上部コイルと下部コイルに二分割されているとともに、該下部コイルのインダクタンスおよび該下部コイルの作用範囲を任意に調節するための調節手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
