特許
J-GLOBAL ID:200903003555571474

薄膜発熱体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷川 英和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-027523
公開番号(公開出願番号):特開2005-222746
出願日: 2004年02月04日
公開日(公表日): 2005年08月18日
要約:
【課題】抵抗発熱体は種々の材料ソースあるいは基板加熱などに用いられ、近年あらゆる雰囲気で化学的に安定な発熱体材料が必要とされている。従来、炭化ケイ素、モリブデン、タンタル、タングステンを用いた発熱体が知られているが、薄膜化が困難であり、小さくできない。また形状も、板状、ワイヤー状に限られる場合が多く、熱効率がよい形状が望まれている。【解決手段】MoSi2の欠点を、RFマグネトロンスパッタリング装置などを用いて、るつぼ等に直接薄膜として堆積させることで改善し、高効率の加熱が可能な薄膜状のMoSi2薄膜発熱体、および、基体にMoSi2薄膜を形成した薄膜発熱器を提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基体上に薄膜状に形成してなる二珪化モリブデン、珪化モリブデンあるいはモリブデン白金シリサイドの薄膜、または、二珪化モリブデン、珪化モリブデンあるいはモリブデン白金シリサイドを主成分とする薄膜より成る薄膜発熱体。
IPC (3件):
H05B3/20 ,  H05B3/12 ,  H05B3/14
FI (3件):
H05B3/20 328 ,  H05B3/12 A ,  H05B3/14 D
Fターム (23件):
3K034AA02 ,  3K034AA04 ,  3K034AA15 ,  3K034AA35 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC01 ,  3K034CA02 ,  3K034CA33 ,  3K034JA01 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB10 ,  3K092QB11 ,  3K092QB30 ,  3K092QB78 ,  3K092QC02 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092TT31 ,  3K092VV40
引用特許:
出願人引用 (1件)

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