特許
J-GLOBAL ID：200903003572334346

薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
宮坂 光敏

宮坂 光敏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262130
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091590
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】高速動作が可能な優良な多結晶性薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】ゲート絶縁膜をプラズマ酸化法と堆積法とで形成する。プラズマ酸化法の際には酸素を希ガスで希釈して、プラズマを立てる。
請求項（抜粋）：
絶縁性物質上に形成された半導体膜と、該半導体膜上に形成された絶縁膜とを少なくとも構成要件として有する半導体装置の製造方法に於いて、半導体膜を形成する第一工程と絶縁膜を形成する第二工程とを含み、該第二工程は希ガスと酸化性気体との混合気体から成るプラズマを該半導体膜に照射した後に、連続してプラズマ化学気相堆積法(PECVD法)にて絶縁膜を堆積する工程を少なくとも含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L 29/78 617 V ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X
Fターム (31件)：
5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045BB18 ,  5F045CA15 ,  5F045DC51 ,  5F045HA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平4-043642
審査官引用 (1件)
  • 特開平4-043642
引用文献：
出願人引用 (1件)

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