特許
J-GLOBAL ID:200903003577374249

圧電/電歪膜型素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 喜樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-329079
公開番号(公開出願番号):特開2001-203402
出願日: 1993年03月08日
公開日(公表日): 2001年07月27日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】圧電/電歪膜の端部と下部電極膜の端部との精密な位置合わせを必要とせず、上下電極間の短絡防止を容易にし、生産性を向上させること、圧電/電歪膜の張り出し部とセラミック基板との結合による影響を除去すること。【解決手段】下部電極膜4を圧電/電歪膜5で覆い、かつ端部がセラミック基板3上へ張り出す大きさとし、この張り出し部11をセラミック基板3と不完全結合状態とした圧電/電歪膜型素子1とする。
請求項(抜粋):
薄肉のセラミック基板と、その基板上に形成され、下部電極膜及び圧電/電歪膜及び上部電極膜を順次積層形成してなる圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪膜型素子において、前記下部電極膜上の圧電/電歪膜を、下部電極膜を覆い、且つ端部が前記セラミック基板上へ張り出す大きさとし、この張り出し部を前記セラミック基板と不完全結合状態としたことを特徴とする圧電/電歪膜型素子。
IPC (5件):
H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C04B 35/48 ,  H01L 41/187
FI (9件):
C04B 35/48 C ,  H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/08 M ,  H01L 41/08 J ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 J
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 圧電/電歪膜型素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-075414   出願人:日本碍子株式会社
審査官引用 (1件)
  • 圧電/電歪膜型素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-075414   出願人:日本碍子株式会社

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