半導体の製造方法及び製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古溝聡 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269863
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100733
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】反応炉内の反応副生成物を排除し、半導体の性能を向上する。【解決手段】反応炉2内を減圧状態にし、ウエハ1に熱処理を施してウエハ1に成膜する。成膜完了後、反応炉2に不活性ガスを注入して、実質的な常圧に戻した後、反応炉2内外の圧力差が5〜75mmH2Oとなるように、反応炉2内のガスを排気しながらウエハ1を出炉する。ただし、排気速度が小さいと反応副生成物を十分排除することができず、排気速度が大きいとガスの流れが乱れて反応副生成物を効率よく排除することができないため、反応炉2内外の圧力差が10〜50mmH2Oとなるように、反応炉2内のガスを排気することが望ましい。

請求項（抜粋）：

反応炉内で減圧状態下で半導体ウエハに処理を施して、該半導体ウエハ上に成膜する方法において、成膜完了後、前記反応炉に不活性ガスを注入して、実質的な常圧に戻した後、前記反応炉内外の圧力差が所定の値となるように、該反応炉内のガスを排気しながら前記半導体ウエハを出炉することにより、反応副生成物が該半導体ウエハに付着するのを防止することを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/455

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , C23C 16/44 D

Fターム (16件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030JA09 , 5F045AA06 , 5F045BB15 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB12 , 5F045EB17 , 5F045EC02 , 5F045EG06 , 5F045EG08 , 5F045EK06 , 5F045GB06 , 5F045GB15

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-252930
特開平1-262628
特開平3-106018

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