特許
J-GLOBAL ID：200903003612859773
半導体不揮発性メモリセル、半導体不揮発性メモリ装置および半導体不揮発性メモリセルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-258107
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096014
出願日： 2002年09月03日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】PMCセルを用いて、高集積度が可能であるとともに、低電圧および低消費電力での駆動も可能にする。【解決手段】素子分離領域2によってそれぞれ分離された回路形成領域を有する半導体基板1の回路形成領域に、適当間隔をあけてソース領域7およびドレイン領域8が設けられてソース領域7およびドレイン領域8間チャネル領域上にゲート絶縁膜3を介してゲート電極4が設けられたMOSFET構造を有しており、そのゲート電極4上に、シリサイド膜9および第1バリアメタル11を介して、第1電極12、電圧を印加することによって金属デンドライトが成長する金属デンドライトが成長するイオン導電体13および第2電極14が順番に積層してPMCセルが形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
素子分離領域によってそれぞれ分離された回路形成領域を有する半導体基板の該回路形成領域に、適当な間隔をあけてソース領域およびドレイン領域が設けられて該ソース領域および該ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられたトランジスタ構造を有する半導体不揮発性メモリセルにおいて、
該ゲート電極上に、第1電極と、電圧を印加することによって金属デンドライトが成長するイオン導電体と、第2電極とを順番に積層してプログラマブルメタライゼーションセル(PMCセル)が形成されていることを特徴とする半導体不揮発性メモリセル。
IPC (4件)：
H01L27/10
, H01L21/8247
, H01L29/788
, H01L29/792
H01L27/10 451
, H01L29/78 371
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA53
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR40
, 5F101BA61
, 5F101BD07
, 5F101BD24
, 5F101BE07
