特許
J-GLOBAL ID：200903076449584637
プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-523669
公開番号（公開出願番号）：特表2001-525606
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：
【要約】プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造(100)は、金属イオンを含むカルコゲナイドガラスなどのイオン導電体(110)と、イオン導電体(110)の対向する表面に配置される少なくとも2つの電極(120、130)とを備える。好適には、イオン導電体(110)は、IB族またはIIB族金属を含むカルコゲニドを含む。2つの電極(120、130)の内の1つは、好適にはカソードとして構成され、一方はアノードとして構成される。アノードとカソードとの間に電圧を印加すると、金属デンドライト(140)がイオン導電体(110)を通過してカソードからアノードへ向かって成長する。デンドライト(140)の成長速度は、電圧を取り除くことによって停止され得、またはデンドライト(140)は、アノードおよびカソードで電圧の極性を反転させることによってカソードへ向かって後退し得る。電圧が十分な長さの間印加されると、連続的金属デンドライト(140)は、イオン導電体(110)を通過して成長し、両電極(120、130)に接続することによって、デバイスをショートさせる。連続的金属デンドライト(140)は、別に電圧を印加することによって切断され得る。金属デンドライト(140)における切断は、また別の電圧を印加することによって再び閉じ得る。デンドライト(140)の長さの変化または、デンドライト(140)の切断の存在が、プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造抵抗、キャパシタンスおよびインピーダンスに影響を及ぼす。
請求項（抜粋）：
プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション(PSAM)構造であって、 イオン導電体と、 該イオン導電体上に配置される複数の電極とを備え、該電極のうちの少なくとも2つが、該2つの電極間に電圧を印加した場合、該2つの電極の負極から、該イオン導電体を通過して該電極の正極へ向かって金属デンドライトを成長させるように構成されている、PSAM構造。
IPC (4件)：
H01L 27/10 451
, H01L 21/82
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 451
, H01L 21/82 P
, H01L 27/04 P
, H01L 27/04 C
5F038AV08
, 5F038DF05
, 5F064AA07
, 5F064BB15
, 5F064CC30
, 5F083ER21
