特許

J-GLOBAL ID：200903003613506955

半導体レジスト用重合体及び感放射線性組成物

発明者： 大塚 昇 ,  川上 峰規 ,  西村 幸生
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (3件)： 小島 清路 ,  萩野 義昇 ,  谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-078984
公開番号（公開出願番号）：特開2009-235118
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】放射線に対する透明性が高く、感度、解像度等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、ラインパターンを形成する際におけるEL、LWR、及び最小倒壊寸法に優れた感放射線性組成物及び半導体レジスト用重合体を提供する。【解決手段】本半導体レジスト用重合体は、下式(1)単位と、下式(2)単位とを含有し、この半導体レジスト用重合体に含まれる全繰り返し単位を100mol%とした場合に、下式(1)で表される繰り返し単位の含有割合が0.5〜10mol%であり、且つ下式(2)で表される繰り返し単位の含有割合が50〜70mol%である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位と、下記一般式(2)で表される繰り返し単位と、を含有する半導体レジスト用重合体であって、 該半導体レジスト用重合体に含まれる全繰り返し単位を100mol%とした場合に、下記一般式(1)で表される繰り返し単位の含有割合が0.5〜10mol%であり、且つ下記一般式(2)で表される繰り返し単位の含有割合が50〜70mol%であることを特徴とする半導体レジスト用重合体。

IPC (4件)：

C08F 220/10 ,  G03F 7/039 ,  C08F 4/04 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F220/10 ,  G03F7/039 601 ,  C08F4/04 ,  H01L21/30 502R

Fターム (24件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  4J015AA04 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC09P ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100FA08 ,  4J100JA38 ,  4J100JA46

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭59-45439号公報
  
• 特開平4-226461号公報
  
• 放射線感光材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-276597   出願人：富士通株式会社