特許

J-GLOBAL ID：200903003636453816

ボトムゲート型薄膜トランジスタ

発明者： ボーゲル,デニス イー. ,  ネルソン,ブライアン ケー.
出願人/特許権者： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-548628
公開番号（公開出願番号）：特表2009-522781
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

次を含むトランジスタが提供される:基材、ゲート電極、前記基材と前記ゲート電極との間に位置しない半導体材料、前記半導体材料と接触するソース電極、前記半導体材料と接触するドレイン電極、及び前記ゲート電極及び前記半導体材料と接触する誘電体材料。その際、前記半導体材料は、1〜99.9重量%の、1kHzにおいて3.3を超える誘電率を有するポリマー、0.1〜99重量%の、本明細書に記載の官能化ペンタセン化合物を含む。

請求項（抜粋）：

トランジスタであって、 基材、 ゲート電極、 前記基材と前記ゲート電極との間に位置しない半導体材料、 前記半導体材料と接触するソース電極、 前記導半導体材料と接触するドレイン電極、及び 前記ゲート電極及び前記半導体材料と接触する誘電体材料、 を含み、前記半導体材料が、 1〜99.9重量%の、1kHzにおいて3.3を超える誘電率を有するポリマー、 0.1〜99重量%の、式Iに従う化合物を含み、

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (4件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J

Fターム (14件)：

5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機半導体層およびその改善
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-540612   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• 有機高分子、電子デバイス、および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-532428   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー