特許
J-GLOBAL ID：200903003652076461
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196156
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041240
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 2次欠陥によるリーク電流を抑制するとともに、浅いpn接合を得る。【解決手段】 単結晶シリコン基板表面にドーパントを注入して不純物拡散領域が形成される。単結晶シリコン基板1の表面にシリコンの固相成長を妨げる性質を有する不純物が注入され、非晶質層が形成される。この不純物の飛程距離がドーパントの飛程距離よりも小さくなるように不純物の注入エネルギが設定される。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の主表面にドーパントと不純物とを異なる工程で注入し、前記ドーパントの注入により前記シリコン基板の表面に不純物拡散領域を形成する半導体装置の製造方法であって、前記不純物はシリコンの固相成長を妨げる性質を有する元素を含み、かつ前記不純物は前記シリコン基板に非晶質を形成するまで注入され、前記不純物の前記シリコン基板内での飛程距離が前記ドーパントの飛程距離よりも小さくなるように前記不純物と前記ドーパントとは注入される、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 Z
, H01L 29/78 301 H
