MOS素子を含む半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041522
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321304
出願日： 1997年02月10日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ゲート電極とソース/ドレイン領域に金属シリサイド層が形成されたMOS構造で、製造工程数が増加せず低抵抗金属シリサイド層が得られ、接合リーク電流が抑制される半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板101中にP型ウエル拡散層102、基板上に素子分離領域103を形成し、また絶縁膜104を介してシリコンを含む導電層からなるゲート電極105、及びその両側に側壁スペーサ106を形成する。次にウエル拡散層102中にN型不純物を拡散させ、ソース/ドレイン領域107a、107bを形成する。前記導電層104及び不純物拡散層107の表面にドーパントとして機能しないArやKr原子をイオン注入して該表面を非晶質化する。次に前記表面にTi、Ni等の高融点金属層109をスパッタ法で形成後、熱処理により前記金属層をシリサイド化して所望の半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に、絶縁膜を介して形成され、少なくともシリコンを含む導電層からなるゲート電極、および、前記半導体基板中に形成され、ソース領域あるいはドレイン領域を構成する不純物拡散層を有し、かつ、前記ゲート電極および前記不純物拡散層は表面に金属シリサイド層を有するMOS素子を含み、前記不純物拡散層は、ドナーあるいはアクセプタとなる不純物の他に、イオン注入によって導入された、ドナーあるいはアクセプタとして機能しない原子を含む、MOS素子を含む半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 21/28 301 T , H01L 21/265 Q , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-256938 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-041757 出願人：日本電気株式会社
特開平4-212418

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