特許
J-GLOBAL ID：200903003652503386

光半導体素子

発明者：
真塩 尚哉

真塩 尚哉 について

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遠山 政樹

遠山 政樹 について

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泉谷 敏英

泉谷 敏英 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272333
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094195
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト層上全面にオーミック電極を形成することができ、且つブロック層上にも電極が存在することによる素子劣化を防止でき、低抵抗で信頼性の高い電極構造を実現する。【解決手段】 n-InP基板11上に、n-InPクラッド層12,多重量子井戸活性層13,p-InPクラッド層14,p-InGaAsコンタクト層15が順次積層され、コンタクト層15からクラッド層12に至るまでエッチングを施してメサスドライプ16が形成され、メサストライプ16の側面にInPからなるブロック層17が形成され、コンタクト層15及びブロック層17の両方に接するようにp側電極31が形成された半導体レーザにおいて、電極31とコンタクト層15及びブロック層17との間に、Pt層21/Ti層22/Pt層23から成るコンタクト電極20を挿入した。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1導電型のクラッド層,光導波層,第2導電型のクラッド層,及び第2導電型のオーミックコンタクト層が順次積層され、少なくともコンタクト層を一部除去して形成されたメサストライプの側面にInPからなるブロック層が形成され、コンタクト層及びブロック層の両方に接するように電極が形成された光半導体素子であって、前記電極とコンタクト層及びブロック層との間に、少なくとも基板側をPtとするコンタクト電極層を挿入してなることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00 E
Fターム (17件)：
5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041FF14 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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