特許

J-GLOBAL ID：200903003661237567

CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法

発明者： 間瀬 康一 ,  八尋 和之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090275
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259083
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】CF4 等弗素原子を有する反応ガスを用い、反応室内をプラズマ・ドライ・エッチングによりクリーニングするCVD装置では、該クリーニング後、反応室内に弗素原子が残存し、その後ウェーハ上に堆積されるCVD膜も弗素を含有するようになる。CVD膜が例えばプラズマ・Si O膜で該膜上にAl 配線が形成されると、Al 配線の弗素腐食が発生する。このようなことのないCVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法を提供する。【構成】前記プラズマ・クリーニング後の後工程として、弗素原子を取り込む被膜を反応室内に被覆する工程を新しく設ける。これにより反応室内に残存する弗素原子は、前記被膜に捕獲固着され、ウェーハ上のCVD膜の弗素含有量は大幅に低減され、Al 配線の弗素腐食等はなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にCVD膜を形成するCVD装置の反応室内を、弗素原子を有する反応ガスを用いてプラズマ・ドライ・エッチング法でクリーニングした後、弗素原子を取り込む被膜を該反応室内に被覆することを特徴としたプラズマ・クリーニング後処理方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窓のロック装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-182212   出願人：株式会社巴商会
• 特開平2-240267
  
• 特開昭63-215037