揮発性ニッケルアミノアルコキシド錯体及びそれを用いたニッケル薄膜の蒸着法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 砂川克 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-505217
公開番号（公開出願番号）：特表2008-537947
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】高揮発性及び高温安定性を有し、穏和な条件下で高品質のニッケル薄膜を形成するのに有用な新規な有機ニッケル化合物の提供。【解決手段】化(I)の揮発性ニッケルアミノアルコキシド錯体は有機金属化学気相蒸着法(MOCVD)により高品質のニッケル薄膜を形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記化(I)で表されるニッケルアミノアルコキシド錯体:

IPC (5件)：

C07C 215/08 , C23C 16/448 , C23C 16/18 , H01L 21/28 , H01L 21/285

FI (5件)：

C07C215/08 , C23C16/448 , C23C16/18 , H01L21/28 301R , H01L21/285 C

Fターム (23件)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB91 , 4H006AC90 , 4H006BB10 , 4H006BB11 , 4H006BN10 , 4H006BU32 , 4K030AA11 , 4K030BA14 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030KA23 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD43 , 4M104DD79

引用特許：

審査官引用 (2件)

金属組成物、およびそれを用いた電子放出素子製造用金属組成物、電子放出素子の製造方法、電子放出素子および画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-003181 出願人：キヤノン株式会社
潤滑性物質とこれを用いた磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-254617 出願人：日立マクセル株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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