透明導電膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094544
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264023
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】:MgO-In2O3で示される擬2元系において、In/(Mg+In)のIn量が70〜95原子%、好ましくは75〜90原子%含有する酸化物膜を基体上に形成して成る透明導電膜を発明した。本発明によって、従来知られているMgIn2O4やIn2O3よりもさらに低い抵抗率と優れた光学的特性を有する該透明導電膜を提供する。さらに、本透明導電膜を製造するために使用されるタ-ゲット材を提供することを目的とする。【構成】:MgO-In2O3で示される擬2元系において、In/(Mg+In)のIn量が65〜95原子%、好ましくは75〜90原子%の範囲にある組成の混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、焼結したタ-ゲットを用い、例えば高周波あるいは直流マグネトロンスパッタにより該酸化物膜を形成することによって本発明の目的を達成できる。

請求項（抜粋）：

【請求項 1】基体上に、マグネシウム(Mg)、インジウム(In)を含む酸化物膜、即ちMgO-In2O3で示される擬2元系においてIn/(Mg+In)で示されるIn量が70〜95原子%、好ましくは75〜90原子%含有する酸化物膜を形成して成ることを特徴とする透明導電膜。【請求項 2】前記請求項1記載の酸化物膜のMgまたはInに対しIV族またはVII族元素を0.1から20原子%、好ましくは1から10原子%の範囲で添加したことを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。【請求項 3】前記請求項2記載のIV族元素がシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、チタニウム(Ti)あるいはジルコニウム(Zr)である請求項1または2記載の透明導電膜。【請求項 4】前記請求項2記載のVII族元素がフッ素(F)であり、その添加範囲は酸素(O)に対し0.1〜20%、好ましくは1〜10%であることを特徴とする請求項1または2記載の透明導電膜。【請求項 5】前記請求項2記載の酸化物膜のMgまたはInに対しイットリウム(Y)を0.1から20原子%、好ましくは1から10原子%の範囲で添加したことを特徴とする請求項1〜3または4記載の透明導電膜。【請求項 6】前記請求項1〜4または5記載の透明導電膜を製造するために使用され、In/(Mg+In)で示されるIn量が65〜95原子%、好ましくは75〜90原子%の範囲にあることを特徴とするMgO-In2O3系焼結体。

IPC (6件)：

H01B 5/14 , C01G 15/00 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , C23C 16/40 , H01B 1/08

FI (6件)：

H01B 5/14 A , C01G 15/00 B , C23C 14/08 K , C23C 14/34 A , C23C 16/40 , H01B 1/08

引用特許：

審査官引用 (2件)

非晶質透明導電膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-095568 出願人：旭硝子株式会社
特開昭63-241805

前のページに戻る