タンタル酸化膜の形成方法及びその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228675
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153491
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】半導体記憶装置のキャパシタの高誘電体膜として用いられるタンタル酸化膜(Ta2 O5 )の形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】タンタル酸化膜の蒸着工程と、紫外線-オゾン又はプラズマ-酸素アニーリング工程を単一チャンバ内で行う工程方法及び工程装置であって、所定の室内空間を形成する単一チャンバ内に紫外線を発生する紫外線ランプと、前記紫外線及び酸素を所定のウェーハに伝達する石英ウィンドと、前記ウェーハの装着されるサセプタと、前記ウェーハの位置及び移動を制御するリフタ手段と、前記サセプタと関連して前記ウェーハを加熱する熱源と、前記サセプタと関連して前記ウェーハを回転させる回転手段とを備える。これにより、工程を単純化し、上品な製品を生産し得る。

請求項（抜粋）：

半導体記憶装置のキャパシタの高誘電体膜として用いられるタンタル酸化膜の蒸着工程及びアニーリング工程を含むタンタル酸化膜の形成方法において、前記蒸着工程及びアニーリング工程がインサイチュー方式で同一チャンバ内で行われることを特徴とするタンタル酸化膜の蒸着形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 , C23C 16/48 , C23C 16/56 , H01L 21/31 , H01L 21/324 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/48 , C23C 16/56 , H01L 21/31 C , H01L 21/324 Z , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-283022
特開平2-283022
特開平2-201916

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