特許
J-GLOBAL ID：200903082949259929

半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者：
青山 知憲

青山 知憲 について

, 
今井 馨太郎

今井 馨太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149982
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014986
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、誘電率の高く、リーク電流の小さい高誘電率絶縁膜を有した半導体装置の製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。【構成】 Ta2 O5 膜9を形成した後に真空を破らずに、500 〜850 °Cで0.1〜3.0Torr の酸素熱処理を行うかあるいは300 〜500 °Cで酸素プラズマ熱処理を行うかあるいは300 〜500 °Cで酸素プラズマ熱処理を行った後に、500 〜850 °Cで0.1 〜3.0Torr の酸素熱処理を行う。また、前記の熱処理を行う装置としてTa2 O5 膜9を形成する反応室と酸素熱処理を行う熱処理室が真空系で接続されている装置、あるいはTa2 O5 膜9を形成する反応室と、酸素プラズマ熱処理を行うための放電部が内蔵または接続された熱処理室とが真空搬送系で接続されている装置を用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1の導電層上に金属酸化物からなる絶縁膜を形成する工程と、前記基板を大気開放せずに連続で減圧酸素雰囲気中で前記絶縁膜の熱処理を行う工程と、前記絶縁膜上に第2の導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108
引用特許：
審査官引用 (4件)
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