特許
J-GLOBAL ID:200903003683352653

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-010601
公開番号(公開出願番号):特開平8-204109
出願日: 1995年01月26日
公開日(公表日): 1996年08月09日
要約:
【要約】【目的】絶縁基体上の配線層に所定の外部リード端子を強固に取着させ、内部の半導体素子を外部リード端子を介して所定の外部電気回路に正確、且つ確実に電気的接続することができる半導体装置を提供することにある。【構成】上面中央部に半導体素子3が搭載される搭載部1a及び該搭載部1a周辺から外周部にかけて扇状に導出されるアルミニウムから成る配線層4を有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1の搭載部1aに搭載され、電極が前記配線層4に接続されている半導体素子3と、前記配線層4に超音波接合により取着されている外部リード端子2と、前記絶縁基体1、半導体素子3及び外部リード端子2の一部を被覆するモールド樹脂6とから成る。
請求項(抜粋):
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部及び該搭載部周辺から外周部にかけて扇状に導出されるアルミニウムから成る配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の搭載部に搭載され、電極が前記配線層に接続されている半導体素子と、前記配線層に超音波接合により取着されている外部リード端子と、前記絶縁基体、半導体素子及び外部リード端子の一部を被覆するモールド樹脂とから成る半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/607
引用特許:
審査官引用 (2件)

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