高周波スイッチ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-229643
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065304
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】トランジスタのオン状態において基板バイアス効果による電流駆動能力の低下を抑制し、低挿入損失、低信号歪を備えた高周波スイッチスイッチ装置を提供する。【解決手段】スイッチトランジスタ106のソース・ドレインはそれぞれDCカット用の容量110,111を介して高周波信号の入出力端子101,102に接続され、スイッチトランジスタ106のゲートには抵抗107を介して第2のDC端子104が接続、固定電位が印加され、ソース・ドレインは抵抗108, 109を介して第1のDC端子103が接続、スイッチトランジスタの制御電位が印加される。また、スイッチトランジスタの基板には、第3のDC端子105が接続され、固定電位が印加される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

高周波信号の入力、出力端子と、第1、第2、第3の端子と、1ないし複数であるN個のスイッチトランジスタと、スイッチトランジスタと同数の第1の抵抗と、スイッチトランジスタより1個多い第2の抵抗、および第1、第2の容量を備え、 N個のスイッチトランジスタのゲートは、それぞれに対応した第1の抵抗を介して、第2の端子に接続され、 N個のスイッチトランジスタの基板は、第3の端子に接続され、 N個のスイッチトランジスタのソース・ドレインはn番目のスイッチトランジスタのドレインとn+1番目のスイッチトランジスタのソースが接続し、この接続したノードは、それぞれ対応した第2の抵抗を介して、第1の端子に接続され、 1番目のスイッチトランジスタのソースは、第1の容量と対応した第2の抵抗に接続され、第1の容量は高周波信号の入力端子に、対応した第2の抵抗は第1の端子にそれぞれ接続され、 N番目のスイッチトランジスタのドレインは、第2の容量と対応した第2の抵抗に接続され、第2の容量は高周波信号の入力端子に、対応した第2の抵抗は第1の端子にそれぞれ接続され、第1の端子には第1の固定電位が印加され、第2の端子にはスイッチトランジスタの制御電位が印加され、第3の端子には第2の固定電位が印加されることを特徴とする、高周波スイッチ装置。

IPC (1件)：

H03K 17/687

FI (1件)：

H03K17/687 G

Fターム (14件)：

5J055AX05 , 5J055BX17 , 5J055CX03 , 5J055CX24 , 5J055DX12 , 5J055EX07 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY21 , 5J055EZ12 , 5J055FX05 , 5J055FX12 , 5J055FX32 , 5J055GX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

高周波スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-111464 出願人：松下電器産業株式会社

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