特許
J-GLOBAL ID:200903072854024732

高周波スイッチ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-111464
公開番号(公開出願番号):特開2004-320439
出願日: 2003年04月16日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】複数のFETのソース・ドレインの電位を固定し、FETのオン・オフの切り替えを確実に行えるようにする。【解決手段】直列接続したデプレッション型のFET101〜104の両端および中点に抵抗205〜209の一端を接続し、抵抗205〜209の他端に所定の電圧を印加することにより、FET101〜104のソース・ドレイン電位を固定する。FET101〜104のソース・ドレイン電位を固定することで、FET101〜104のゲート・ソース間に、FET101〜104をオンにするためのバイアス電圧を安定して印加することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
高周波信号を入出力する第1の高周波入出力端子(301)および第2の高周波入出力端子(302)と、前記第1の高周波入出力端子(301)と前記第2の高周波入出力端子(302)との間に配置された複数個のFET(101〜104)の直列接続回路とを備え、前記複数個のFET(101〜104)のゲート端子にハイレベル電圧とローレベル電圧とを選択的に印加して、前記複数個のFET(101〜104)のオン状態とオフ状態との切り替えを行う高周波スイッチ回路であって、 前記複数個のFET(101〜104)の直列接続回路の両端および各中間接続点に複数の抵抗器(205〜209)の一方の端子をそれぞれ介して前記複数の抵抗器(205〜209)の他方の端子にそれぞれ所定の電圧を印加することにより、前記複数個のFET(101〜104)の直列接続回路の両端および各中間接続点の電位を固定したことを特徴とする高周波スイッチ回路。
IPC (1件):
H03K17/687
FI (1件):
H03K17/687 G
Fターム (32件):
5J055AX05 ,  5J055AX06 ,  5J055AX52 ,  5J055AX53 ,  5J055AX63 ,  5J055BX05 ,  5J055BX17 ,  5J055CX03 ,  5J055CX07 ,  5J055CX24 ,  5J055DX24 ,  5J055DX25 ,  5J055DX42 ,  5J055DX44 ,  5J055DX50 ,  5J055DX61 ,  5J055DX72 ,  5J055DX83 ,  5J055DX88 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EY24 ,  5J055EZ54 ,  5J055EZ65 ,  5J055FX12 ,  5J055FX19 ,  5J055FX21 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX05
引用特許:
審査官引用 (4件)
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