特許

J-GLOBAL ID：200903003686135491

T型ゲート電極の作製方法

発明者： コントラッタ ウォルター
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129981
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335671
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 高周波電界効果トランジスタに適したT型ゲート電極の作製において、薄いレジストを可能にし、レジストの2重露光を避ける。【構成】 本発明によると、T型ゲート電極の広い上部を画成するために、マスク膜1,2内にアンダーカットされた開口4を最初に形成する。次に、レジストの薄い層5を設け、パターニングして、狭いゲート・フットプリントを画成する。レジストがマスク膜1,2内のアンダーカットされた開口4に沿って保持されるので、レジストの形状は、真空蒸着により設けられたゲート金属8のリフトオフに適している。薄いレジスト層5およびレジスト5の2重露光の回避の結果、従来技術のT型ゲート電極よりゲート長の短い(ゲート長<0.150ミクロン)T型ゲート電極を作製することが容易となる。

請求項（抜粋）：

a)基板を設け、b)前記基板上にマスク膜を形成し、c)前記マスク膜内に、アンダーカットされた形状の第1の開口を形成して、前記基板を露出し、d)前記マスク膜の上部および前記基板の露出部上にレジスト層を形成し、e)前記第1の開口内にある第2の開口を、前記レジスト層内に形成し、f)金属膜を真空堆積し、g)前記第1の開口の外側の前記金属膜部分をリフトオフする、ことを特徴とするT型ゲート電極の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/50 J ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-268337   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-368135
  
• 特開昭61-077370
  
• 特開昭55-105326