半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-347902
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116725
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】窒化物半導体層に設けるオーミックコンタクトのコンタクト抵抗を低減できるようにする。【解決手段】母材基板11の上に、活性層を含む窒化ガリウムからなる第1の窒化物半導体層12と、厚さが約25nmの窒化アルミニウムガリウムからなる第2の窒化物半導体層13を順次形成する。続いて、第2の窒化物半導体層13の上に、CVD法により、厚さが300nmのシリコンからなるポテンシャル低減層14を堆積する。続いて、堆積したポテンシャル低減層14の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層14に対して約1000°Cの温度で熱処理を施して、注入されたn型のドーパントを活性化する。続いて、スパッタ法により、ポテンシャル低減層14の上に、厚さが約300nmのチタンとアルミニウムとの積層膜からなる電極15を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の上に形成され、それぞれ不純物がドープされた炭素、シリコン及びゲルマニウムのうちの少なくとも1つを含むIV族元素層と、前記IV族元素層の上に形成され、該IV族元素層を介して前記窒化物半導体層とオーミック接触する電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/28 , H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/28 301B , H01L33/00 C

Fターム (28件)：

4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD92 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104HH15 , 5F041AA24 , 5F041CA40 , 5F041CA54 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA71 , 5F041CA83 , 5F041CA87 , 5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (2件)

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-141652 出願人：日本電信電話株式会社
米国特許第6410944号明細書

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