半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155921
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008246
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】高誘電体または強誘電体を容量絶縁膜とする容量素子を内蔵する半導体装置とその製造方法において、容量絶縁膜の結晶粒径のばらつきの標準偏差が大きいために耐久負荷試験において容量素子のリーク電流が急激に上昇し、半導体装置の信頼性が著しく劣るという課題を解決し、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】容量絶縁膜6の焼結工程における焼結温度を650°Cに保持し、焼結温度に至る昇温レートを5°C/分または10°C/分として焼結させることにより、結晶粒7の平均粒径が12.8nm、粒径ばらつきの標準偏差が2.2nmの結晶の大きさがほぼ揃った厚さおよそ185nmのBa0.7Sr0.3TiO3からなる容量絶縁膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

集積回路が形成された支持基板と、その支持基板の上面に選択的に形成された第1の電極と、その第1の電極の上面に形成された高誘電率誘電体からなる容量絶縁膜と、その容量絶縁膜の上面に前記第1の電極と接触しないように形成された第2の電極とからなる容量素子を内蔵する半導体装置において、前記高誘電率誘電体からなる容量絶縁膜の結晶粒の平均粒径が5〜20nmの範囲にあってその平均粒径における粒径の分布が標準偏差で3nm以内である容量絶縁膜を有する容量素子を備える半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

誘電体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-149524 出願人：セイコーエプソン株式会社

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