特許
J-GLOBAL ID：200903003708419626

薄膜音響共振子用共振音響アイソレータ

発明者：
チャールズ・ダブリュ・シーベリー

チャールズ・ダブリュ・シーベリー について

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ポール・エイチ・コブリン

ポール・エイチ・コブリン について

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ジェフリー・エフ・デナテイル

ジェフリー・エフ・デナテイル について


出願人/特許権者：
ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション

ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273246
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199978
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 薄膜音響共振子を支持することができる有効な共振音響アイソレータを提供する。【解決手段】 本件の音響共振アイソレータ(10)は、少なくとも1対の音響インピーダンスが異なる材料の層を含む。アイソレータの材料は高および低インピーダンス材料が交互になった層に堆積され、各層は共振周波数で1/4音響波長の厚さを有する。好ましくは、半導体産業において比較的手に入りやすく、比較的音響インピーダンスが低く、固有の音響損失が非常に低く、さまざまな好都合な方法を用いて堆積させることができる二酸化シリコン(SiO2 )を低インピーダンス材料に使い、比較的高音響インピーダンスで、硬度が高く、密度の高い誘電体を蒸着によって形成することができる酸化ハフニウム(HfO2 )を高音響インピーダンス材料として使用する。SiO2 とHfO2 が交互になった層を積層したもの全体を電子ビーム堆積法によって同じチャンバ内で堆積させることができるため、製造コストが低く抑えられる。
請求項（抜粋）：
薄膜音響共振子用共振音響アイソレータであって、基板と、前記基板上に形成された少なくとも1対の層とを含み、前記1対の層が高音響インピーダンス酸化ハフニウムからなる第1の層と、低音響インピーダンス材料からなる第2の層とを含み、かつ前記薄膜音響共振子が前記1対の層の上に形成される、共振音響アイソレータ。
IPC (4件)：
H03H 9/17 ,  H01L 41/09 ,  H03H 9/54 ,  H04R 17/00 330
FI (4件)：
H03H 9/17 Z ,  H03H 9/54 Z ,  H04R 17/00 330 J ,  H01L 41/08 C
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 周波数選択構成要素
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024973   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
  • 導電性製品
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-216691   出願人：イーストマンコダツクカンパニー
審査官引用 (1件)
  • 周波数選択構成要素
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024973   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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