特許

J-GLOBAL ID：200903003709418046

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  西本 裕子
出願人/特許権者： 株式会社半導体プロセス研究所 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  キヤノン販売株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-090612
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251353
出願日： 1991年04月22日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】ウエハを外気に触れさせることなく異なる種類の処理を連続的に行うことにより膜質の改良された単層の膜や多層の膜を形成することが可能な、所謂マルチステッププロセス装置等の半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関し、各処理間のウエハ温度の変動を低減することにより、熱歪み等の発生を防止し、形成膜の膜質の変化や劣化を防止することを目的とし、【構成】反応ガスを供給するガス分散具22を有する膜形成部11及び形成された膜の処理手段28を有する処理部12と、ガス分散具22又は処理手段28に対向してウエハ載置面13にウエハ29を保持し、かつそのまま膜形成部11及び処理部12の間を順次移動することが可能なウエハ保持具15とを有し、ウエハ保持具15は、ウエハ29の移動中を含めてウエハ載置面13に保持されたウエハ29を加熱することが可能な加熱手段14を有することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

ガス放出面から反応ガスを供給するガス分散具を有する膜形成部及び前記形成された膜の処理手段を有する処理部と、前記ガス放出面又は処理手段に対向してウエハ載置面にウエハを保持し、かつ前記ウエハ載置面にウエハを保持したまま前記膜形成部及び前記処理部の間を順次移動することが可能なウエハ保持具とを有し、前記ウエハ保持具は、前記ウエハの移動中を含めて前記ウエハ載置面に保持されたウエハを加熱することが可能な加熱手段を有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公平6-069034
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-022358   出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社