発光装置とその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山下穣平 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-036044
公開番号（公開出願番号）：特開2008-281988
出願日： 2008年02月18日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

【課題】TOS-TFTと有機ELを同一基板上に低温プロセスにおいて形成し、有機層の劣化を低コストで抑制することを目的とする。【解決手段】有機EL素子を駆動するための電界効果型トランジスタを有する発光装置の作製方法において、基板1上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、絶縁層7を形成する工程と、絶縁層7の上に下部電極8を形成する工程と、下部電極8の上に有機EL素子を構成するための有機層10を形成する工程と、有機層10の上に上部電極11を形成する工程と、を含み、電界効果型トランジスタの半導体層を形成する工程の後、有機層10を形成する工程の前に、電界効果型トランジスタからH2Oとして脱離し得る成分量が10-5g/m2未満となる熱処理を行う熱処理工程を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機EL素子を駆動するための電界効果型トランジスタを有する発光装置の作製方法において、前記電界効果型トランジスタはIn又はZnから選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、基板上に前記電界効果型トランジスタを形成する工程と、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上に前記有機EL素子を構成するための有機層を形成する工程と、前記有機層の上に上部電極を形成する工程と、を含み、前記電界効果型トランジスタの半導体層を形成する工程の後、前記有機層を形成する工程の前に、該電界効果型トランジスタから前記有機層を形成する工程中にH2Oとして脱離し得る成分量が10-5g/m2未満となる熱処理工程を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。

IPC (6件)：

G09F 9/30 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H01L 27/32

FI (6件)：

G09F9/30 338 , H01L29/78 618B , H01L29/78 612Z , H05B33/10 , H05B33/14 A , G09F9/30 365Z

Fターム (54件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC23 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF14 , 3K107FF17 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 5C094AA10 , 5C094AA31 , 5C094AA37 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5C094JA20 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG04 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HL27 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN40 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (2件)

有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2001000531 出願人：出光興産株式会社
半導体装置及びその作製方法、並びにテレビジョン
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-225305 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (1件)

有機EL表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-241063 出願人：キヤノン株式会社

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