特許

J-GLOBAL ID：200903003724738480

アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を用いる酸化亜鉛薄膜の製造方法

発明者： 角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  金戸 広樹
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-311161
公開番号（公開出願番号）：特開2007-119816
出願日： 2005年10月26日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】 本発明の課題は、簡便な方法によって、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する、工業的に好適な酸化亜鉛薄膜の製造方法を提供するものである。【解決手段】 本発明の課題は、亜鉛錯体と水とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

亜鉛錯体と水とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に亜鉛酸化薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

C23C 16/40

FI (1件)：

C23C16/40

Fターム (17件)：

4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H006BE62 ,  4H048AA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB91 ,  4H048VA66 ,  4H048VB10 ,  4H048VB40 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA47 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-219280   出願人：株式会社東北テクノアーチ