特許
J-GLOBAL ID：200903091205478559

シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材

発明者：
羽賀 浩一

羽賀 浩一 について


出願人/特許権者：
株式会社 東北テクノアーチ

株式会社 東北テクノアーチ について


代理人 (1件)： 重信 和男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219280
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031846
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板上に、受発光素子に適した酸化亜鉛半導体部材を形成する。【解決手段】 シリコン基板110の表面は数十Åの自然酸化膜120に覆われている。最初の工程では、これを10%に純水で希釈したフッ酸(HF)を用いて除去した(工程(1))。酸化膜を除去したSi基板110の表面は、水素原子で被覆されている。スパッタリングによりZnO薄膜堆積を行う工程(2)では、大きなプラズマ・エネルギーが加えられている。このエネルギーにより、水素を低温で解離させるとともに、シリコンと酸化亜鉛との格子間隔の差を緩和させて、非晶質と微結晶が混在した薄膜のバッファ層130を形成する。次に、工程(3)として、このバッファ層130を種結晶として、その上部にMO-CVD法により高品質のZnO薄膜140を成長させる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン面基板上に形成された酸化亜鉛薄膜において、該酸化亜鉛薄膜表面の結晶配向性がウルツ鉱構造c軸配向面を示し、前記酸化亜鉛薄膜にHe-Cdレーザー(325nm)を照射した際のフォトルミネッセンス・スペクトルが387nmを中心とした禁制帯幅近傍で発光することを特徴とするシリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
IPC (5件)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10
FI (5件)：
H01L 33/00 D ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A
Fターム (39件)：
4K030AA11 ,  4K030BA47 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DP16 ,  5F045HA01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049NA10 ,  5F049PA03 ,  5F049PA14 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB55 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL04 ,  5F103NN01 ,  5F103NN06 ,  5F103PP01 ,  5F103PP15
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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