特許

J-GLOBAL ID：200903003743873585

光半導体装置及び製造方法

発明者： 河谷 篤寛
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122874
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303466
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置の小型化、信号応答速度の改善および生産性の向上を図る。【解決手段】 光半導体素子駆動用半導体素子部11が形成されているSi基板1上に光半導体素子2を直接実装するとともに、光ファイバ保持用のV溝12を形成し、V溝12で光ファイバを保持したとき、その端面と光半導体素子2の発光面が最適光学結合するようにする。光半導体素子駆動用半導体素子部11が形成されているSi基板1上に光半導体素子2が直接実装されているので、両者を電気的に接続するボンディングワイヤ3の長さを短くすることができるので、その分信号応答速度が改善される。

請求項（抜粋）：

光半導体素子と該光半導体素子の周辺回路用半導体素子部からなる光半導体装置において、前記光半導体素子の周辺回路用半導体素子部を有する半導体基板上に前記光半導体素子を実装したことを特徴とする光半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  G02B 6/00 346 ,  H01L 21/52 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/02

FI (6件)：

H01L 33/00 N ,  G02B 6/00 346 ,  H01L 21/52 B ,  H01L 27/15 C ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭62-013088
  
• 特開昭55-157277
  
• 特開昭59-185306
  
• 特開平1-130112
  
• 光結合構造とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-190370   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-102810