プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101985
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270299
出願日： 1996年03月31日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は、プラズマ密度が高く、均一で大面積なプラズマが形成でき、かつ、被処理体に対するプラズマダメージの少ないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、少なくとも2つ以上の径の異なる環状電極2a,2b,2cと、前記環状電極2a,2b,2cにより形成された電場に対して垂直な方向に磁場を形成する磁場発生手段とを有し、隣り合う位置に配置された前記環状電極2a,2bに、異なる位相を有する交流電力を印加する交流電源3a,3bが接続されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つ以上の径の異なる環状電極と、前記環状電極により形成された電場に対して垂直な方向に磁場を形成する磁場発生手段とを有し、隣り合う位置に配置された前記環状電極に、異なる位相を有する交流電力を印加する交流電源が接続されたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 A , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマプロセス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049761 出願人：木下治久, ローツェ株式会社, 株式会社アドテック
プラズマ処理方法および処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-288888 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-361530

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