特許
J-GLOBAL ID：200903003767919586
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-352687
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151984
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】IG能力が付加されCCDをはじめとする様々なデバイス用に好適なエピタキシャルウェーハ、及びそのエピタキシャルウェーハを生産性を低下させることなく製造することのできる方法を提供する。【解決手段】ドーパントとしてアンチモンが添加され抵抗率が0.04Ω・cm以上のn型シリコン基板上に、該n型シリコン基板よりも高抵抗率のn型シリコンエピタキシャル層を有するようにした。
請求項（抜粋）：
ドーパントとしてアンチモンが添加され抵抗率が0.04Ω・cm以上のn型シリコン基板上に、該n型シリコン基板よりも高抵抗率のn型シリコンエピタキシャル層を有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 27/148
H01L 21/322 Y
, H01L 27/14 B
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118EA01
