特許

J-GLOBAL ID：200903003782328179

MgB2超電導体の製造方法およびMgB2超電導体

発明者： 山田 秀之 ,  内山 順仁 ,  熊倉 浩明 ,  北口 仁 ,  松本 明善
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  東海旅客鉄道株式会社
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-038747
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235263
出願日： 2008年02月20日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】SiC単独添加したMgB2超電導体あるいはベンゼン等の芳香族炭化水素単独添加したMgB2超電導体の臨界電流密度(Jc)よりも高い臨界電流密度(Jc)を有するMgB2超電導体の製造方法およびMgB2超電導体を提供する。【解決手段】Mg粉末またはMgH2粉末とB粉末との混合物を加圧成形して熱処理するMgB2超伝導体の製造方法において、混合物に芳香族炭化水素とSiCを添加する。芳香族炭化水素は、エチルトルエンであり、SiCは平均粒径が10〜30nmであることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Mg粉末またはMgH2粉末とB粉末との混合物を加圧成形して熱処理するMgB2超伝導体の製造方法において、混合物に芳香族炭化水素とSiCを添加することを特徴とするMgB2超伝導体の製造方法。

IPC (6件)：

H01B 13/00 ,  H01B 12/04 ,  H01B 12/10 ,  C01B 35/04 ,  C01G 1/00 ,  H01F 6/06

FI (6件)：

H01B13/00 565Z ,  H01B12/04 ,  H01B12/10 ,  C01B35/04 C ,  C01G1/00 S ,  H01F5/08 B

Fターム (17件)：

4G047JA05 ,  4G047JB01 ,  4G047JB04 ,  4G047JC16 ,  4G047KB01 ,  4G047KB02 ,  4G047KB04 ,  4G047LB01 ,  5G321AA98 ,  5G321BA01 ,  5G321BA02 ,  5G321CA02 ,  5G321CA08 ,  5G321CA09 ,  5G321CA17 ,  5G321CA30 ,  5G321DB18