特許
J-GLOBAL ID：200903003817929324

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
松田 竜一

松田 竜一 について

, 
嶋津 正

嶋津 正 について

, 
井上 雅彦

井上 雅彦 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178129
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022935
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】筒状容器2内に広い範囲で均一なプラズマを発生させても壁面方向の磁束密度を小さくしたプラズマ成膜装置とする。【解決手段】アンテナ11aの周囲の天井面の外方に位置して配置される第2アンテナ11bと、給電手段によるアンテナ11aへの給電の電流と逆向きの電流を第2アンテナ11bに供給し、第2アンテナ11bの部位で、アンテナ11aの部位の磁力線F1とは反対の磁力線F2を発生させ、筒状容器2内に広い範囲で均一なプラズマを発生させても壁面方向の磁束密度を小さくしたプラズマ成膜装置とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室の天井面の上部に平面リング状のアンテナを配置し、給電手段によりアンテナに給電を行うことで処理室内にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置において、アンテナの周囲に天井面の外方に位置する第2アンテナを配置し、アンテナへの給電の電流と逆向きの電流を第2アンテナに供給する第2給電手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/507 ,  H05H1/46
FI (4件)：
H01L21/205 ,  B01J19/08 H ,  C23C16/507 ,  H05H1/46 L
Fターム (29件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075CA13 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4G075CA63 ,  4G075DA01 ,  4G075EB01 ,  4G075EC30 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030FA04 ,  4K030JA19 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB01 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH02 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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