特許

J-GLOBAL ID：200903003845871102

交換結合膜および磁気抵抗効果素子

発明者： 福家 ひろみ ,  上口 裕三 ,  岩崎 仁志 ,  佐橋 政司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237335
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082524
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 大きな交換結合力が得られる交換結合膜、およびこのような交換結合膜を有し安定した出力を長期間にわたって得ることのできる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 Fe,Co,Niの少なくとも1種からなる強磁性体膜(2)と反強磁性体膜(4)とを積層した構造を有する交換結合膜において、強磁性体膜と反強磁性体膜との界面に、元素添加された強磁性体からなる中間膜(3)を介在させて格子マッチングの改善により交換結合力を向上した交換結合膜、およびこの交換結合膜とこの交換結合膜を構成する強磁性体膜に電流を通電するための電極とを具備した磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

Fe,CoおよびNiからなる群より選択される少なくとも1種の元素からなる強磁性体膜と、反強磁性体膜とを積層した構造を有する交換結合膜において、上記強磁性体膜と上記反強磁性体膜との界面に、Fe,CoおよびNiからなる群より選択される少なくとも1種の元素と、B,Al,Ca,Sc,Cu,Sr,Rh,Pd,Ag,La,Ce,Pr,Yb,Ir,Pt,Au,Pb,Li,Ti,Rb,V,Zr,K,Cr,Nb,Mo,Ba,Nd,Eu,Ta,W,C,Zr,Cd,Mg,Y,Tc,Ru,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Lu,Hf,Re,Os,Tl,Na,InおよびGaからなる群より選択される少なくとも1種の元素とを含有する強磁性体からなる中間膜を介在させたことを特徴とする交換結合膜。

IPC (4件)：

H01F 10/30 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (4件)：

H01F 10/30 ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 交換結合膜および磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-026775   出願人：株式会社東芝