紫外線センサの感知可能波長帯域調整方法及び該方法に基づいて製造される装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山崎拓哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-090303
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251773
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】紫外線センサの感知可能な波長帯域を調整する方法であって、特に、酸化亜鉛単結晶基板をベースとした紫外線センサにおいて、UV-A〜UV-Cの分別検出に寄与し得るような方法を提供すること。【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板11とショットキー電極13a,13bとを備える紫外線センサ10a、10bの感知可能な波長帯域を長波長側にシフトさせる場合には、カドミウムを添加した酸化亜鉛薄膜を酸化亜鉛単結晶基板11上に形成し、その酸化亜鉛薄膜上にショットキー電極を形成する。一方、波長帯域を短波長側にシフトさせる場合には、マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜12bを酸化亜鉛単結晶基板11上に形成した後に薄膜12b上にショットキー電極13bを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛単結晶基板とショットキー電極とを備える紫外線センサの感知可能な波長帯域を調整する方法であって、前記波長帯域を長波長側にシフトさせる場合にはカドミウムを添加した酸化亜鉛薄膜を前記酸化亜鉛単結晶基板上に形成した後に当該酸化亜鉛薄膜上に前記ショットキー電極を形成する一方、前記波長帯域を短波長側にシフトさせる場合にはマグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜を前記酸化亜鉛単結晶基板上に形成した後に当該酸化亜鉛薄膜上に前記ショットキー電極を形成する、ことを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L 31/108

FI (1件)：

H01L31/10 C

Fターム (8件)：

5F049MA02 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049NA20 , 5F049PA04 , 5F049SE05 , 5F049WA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

紫外線受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-357058 出願人：富士ゼロックス株式会社
米国特許公報6,846,731号公報

審査官引用 (1件)

紫外線センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-042436 出願人：富士ゼロックス株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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